FDA18N50备选型号: FDP20N50

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    6.401g
    SILICON
    19A Tc
    2014
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    265MOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    Single
    增强型MOSFET
    239W
    55 ns
    N-Channel
    265m Ω @ 9.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2860pF @ 25V
    60nC @ 10V
    165ns
    ±30V
    90 ns
    19A
    5V
    30V
    500V
    76A
    945 mJ
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    1.8g
    SILICON
    20A Tc
    2004
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    230MOhm
    -
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    95 ns
    N-Channel
    230m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3120pF @ 25V
    59.5nC @ 10V
    375ns
    ±30V
    105 ns
    20A
    5V
    30V
    500V
    80A
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    Tin
    SWITCHING
    TO-220AB
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FDP20N50 FDP20N50 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail 对比