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首页 全部分类 FDA24N50 vs FCP20N60

FDA24N50备选型号: FCP20N60

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDA24N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    2
    6.401g
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190MOhm
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    270W
    47 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    85nC @ 10V
    108ns
    ±30V
    86 ns
    24A
    5V
    30V
    500V
    96A
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP20N60
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190MOhm
    Tin (Sn)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3080pF @ 25V
    98nC @ 10V
    140ns
    ±30V
    65 ns
    20A
    5V
    30V
    600V
    60A
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    600V
    20A
    TO-220AB
    690 mJ
    5 V
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FCP20N60 FCP20N60 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET 600V N-Channel SuperFET 对比