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首页 全部分类 FDA59N25 vs IRFB4229PBF

FDA59N25备选型号: IRFB4229PBF

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDA59N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    59A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    快速切换
    Single
    增强型MOSFET
    392W
    70 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    49m Ω @ 29.5A, 10V
    5V @ 250μA
    4020pF @ 25V
    82nC @ 10V
    480ns
    ±30V
    170 ns
    59A
    5V
    30V
    0.049Ohm
    250V
    5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4229PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    46A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    330mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    31ns
    ±30V
    21 ns
    46A
    5V
    30V
    -
    250V
    5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    2007
    通孔
    46MOhm
    DRAIN
    TO-220AB
    250V
    290 ns
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无铅
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