Infineon Technologies IRFB4229PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

46MOhm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

46m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

31ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

46A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

恢复时间

290 ns

栅源电压

5 V

高度

16.51mm

长度

10.6426mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅