FDB0165N807L备选型号: FDB0190N807L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    1.312g
    310A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    245
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.6m Ω @ 36A, 10V
    4V @ 250μA
    23660pF @ 40V
    304nC @ 10V
    80V
    ±20V
    310A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    1.312g
    270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.7m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    19110pF @ 40V
    249nC @ 10V
    80V
    ±20V
    270A
    ROHS3 Compliant
    7
    SILICON
    6
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.9V
    TO-263CB
    1440A
    80V
    无SVHC
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