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首页 全部分类 FDB0190N807L vs FDB0165N807L

FDB0190N807L备选型号: FDB0165N807L

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • ON Semiconductor
    FDB0190N807L
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    1.312g
    SILICON
    270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    19110pF @ 40V
    249nC @ 10V
    80V
    ±20V
    270A
    2.9V
    TO-263CB
    1440A
    80V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
  • ON Semiconductor
    FDB0165N807L
    ON Semiconductor
    MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    1.312g
    -
    310A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    -
    245
    not_compliant
    未说明
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.6m Ω @ 36A, 10V
    4V @ 250μA
    23660pF @ 40V
    304nC @ 10V
    80V
    ±20V
    310A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
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