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FDB045AN08A0备选型号: STH140N8F7-2
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- 元素配置
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
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- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 通道数量
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)11 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON19A Ta 90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR994.5MOhm75V鸥翼未说明not_compliant19A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET310WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA6600pF @ 25V138nC @ 10V88ns±20V45 ns80A4V20V75V600 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2-15 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g-90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII---活跃1 (Unlimited)-EAR99---------Single---26 nsN-Channel-4m Ω @ 45A, 10V4.5V @ 250μA6340pF @ 40V96nC @ 10V51ns±20V44 ns90A-20V80V-4.8mm10.4mm15.8mm-ROHS3 Compliant无铅STH1401无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB100N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | 对比 |
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