Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.8V @ 155μA

Turn Off Delay Time

40 ns

Power Dissipation (Max)

214W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2008

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

214W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8130pF @ 37.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

117nC @ 10V

上升时间

85ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

75V

雪崩能量等级（Eas）

640 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant