我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
FDB060AN08A0备选型号: IPB050N06NGATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON16A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR996MOhmTin (Sn)75V鸥翼80AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET255WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA5150pF @ 25V95nC @ 10V79ns±20V38 ns80A20V75V350 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无ROHS3 Compliant无铅------------
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99-哑光锡-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET300WDRAIN-N-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 100A, 10V4V @ 270μA6100pF @ 30V167nC @ 10V-±20V-100A20V------符合RoHS标准-2007雪崩 额定SINGLE260404不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE60V0.0047Ohm400A60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7762TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。