FDB14AN06LA0-F085备选型号: IRF1010EZSTRLP

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 电阻
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    67A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.6m Ω @ 67A, 10V
    3V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    31nC @ 5V
    169ns
    ±20V
    50 ns
    67A
    20V
    60V
    46 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    -
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    140W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    8.5m Ω @ 51A, 10V
    4V @ 100μA
    2810pF @ 25V
    86nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    54 ns
    75A
    20V
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    2002
    8.5MOhm
    无铅
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