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FDB24AN06LA0备选型号: IRFZ46ZSTRLPBF
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTO-263AB7.8A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C60V36ASingle75WN-Channel19mOhm @ 40A, 10V3V @ 250μA1850pF @ 25V21nC @ 5V101ns60V±20V49 ns40A20V60V1.85nF20mOhm19 mΩ符合RoHS标准无铅---------------------------
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-51A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)--55V51ASingle82WN-Channel13.6m Ω @ 31A, 10V4V @ 250μA1460pF @ 25V46nC @ 10V63ns-±20V39 ns51A20V55V---ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks3SILICONe32EAR9913.6MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN13 nsSWITCHING4V200A55V97 mJ4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB | 对比 |
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 对比 |
| AUIRFZ44ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | 对比 |
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