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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.890937
10
¥7.444282
100
¥7.022903
500
¥6.625385
1000
¥6.250361
ON Semiconductor FDB20AN06A0
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- 对比
FDB20AN06A0
1807-FDB20AN06A0
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
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¥
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FDB20AN06A0详情
ON Semiconductor FDB20AN06A0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
质量
1.31247g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta 45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
23 ns
Power Dissipation (Max)
90W Tc
已出版
2003
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
60V
额定电流
45A
元素配置
Single
功率耗散
90W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 45A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
上升时间
98ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDB20AN06A0拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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