FDB20AN06A0
FDB20AN06A0

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ON Semiconductor FDB20AN06A0

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型号

FDB20AN06A0

utmel 编号

1807-FDB20AN06A0

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

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FDB20AN06A0
FDB20AN06A0 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

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FDB20AN06A0详情

ON Semiconductor FDB20AN06A0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 质量

    1.31247g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A Ta 45A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    23 ns

  • Power Dissipation (Max)

    90W Tc

  • 已出版

    2003

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 额定电流

    45A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    90W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20m Ω @ 45A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    950pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19nC @ 10V

  • 上升时间

    98ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    33 ns

  • 连续放电电流(ID)

    45A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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