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FDB2532备选型号: IRFS4115TRLPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAKACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34.535924gSILICON8A Ta 79A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9916MOhm150V鸥翼79AR-PSSO-G2150VSingle79A增强型MOSFET310WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 33A, 10V4V @ 250μA5870pF @ 25V107nC @ 10V30ns±20V17 ns79A4V20V150V150V400 mJ4 V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011e3-活跃1 (Unlimited)2-EAR9911.8MOhm-鸥翼-R-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET375WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING12.1m Ω @ 62A, 10V5V @ 250μA5270pF @ 50V120nC @ 10V73ns±20V39 ns195A-20V150V---4.826mm10.668mm9.652mm-无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier2603099A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK | 对比 |
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK | 对比 |
| FDB110N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details | 对比 |
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