FDB3632备选型号: AUIRFS4410Z

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    12A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    9MOhm
    100V
    鸥翼
    44A
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6000pF @ 25V
    110nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    4V
    20V
    100V
    100V
    175°C
    4 V
    5.08mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
    -
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    SILICON
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    4820pF @ 50V
    120nC @ 10V
    52ns
    ±20V
    57 ns
    97A
    2V
    20V
    100V
    -
    -
    2 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    260
    30
    IRFS4410
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.009Ohm
    242 mJ
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