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首页 全部分类 FDB3682 vs IPB35N10S3L26ATMA1

FDB3682备选型号: IPB35N10S3L26ATMA1

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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    FDB3682
    ON Semiconductor
    TO-263AB, SINGLE, N-CH, 100V,
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    6A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    36MOhm
    100V
    鸥翼
    32A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    95W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 32A, 10V
    4V @ 250μA
    1250pF @ 25V
    28nC @ 10V
    46ns
    ±20V
    32 ns
    32A
    4V
    20V
    6A
    100V
    55 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB35N10S3L26ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    14 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    -
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    26.3m Ω @ 35A, 10V
    2.4V @ 39μA
    2700pF @ 25V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    35A
    -
    175 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    2011
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    0.0322Ohm
    140A
    100V
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IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比