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FDB8445-F085备选型号: AUIRFS3607
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- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
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- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET 40V N-Ch PowerTrenchLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装31.31247g70A TcAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJyesObsolete1 (Unlimited)Single增强型MOSFET92W10 nsN-Channel9m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA3805pF @ 25V62nC @ 10V19ns±20V16 ns70A20V40V符合RoHS标准无无铅--------------------
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-80A TcHEXFET®Tube-55°C~175°C TJ-Discontinued1 (Unlimited)Single增强型MOSFET140W16 nsN-Channel9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns80A20V75VROHS3 Compliant无-16 WeeksTinSILICON2011e32EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2DRAINSWITCHING2V0.009Ohm4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB120N4LF6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STB80NF55-08T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3607 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 对比 |
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