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FDB8876备选型号: FDB8878
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB71A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle70WN-Channel8.5mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1700pF @ 15V45nC @ 10V113ns30V±20V41 ns71A20V30V1.7nF8.5mOhm8.5 mΩ符合RoHS标准无铅- MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-26348A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle47.3WN-Channel14mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V23nC @ 10V244ns30V±20V35.3 ns48A20V30V1.235nF14mOhm14 mΩ符合RoHS标准-
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8878 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
| FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
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