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FDBL0630N150备选型号: FDB075N15A-F085
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF88 Weeks8-PowerSFN表面贴装表面贴装8850.0521mg4V @ 250μA500W Tj2013PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)245未说明SingleN-Channel6.3m Ω @ 80A, 10V5805pF @ 75V90nC @ 10V150V±20V169AROHS3 Compliantnot_compliant无铅---------------
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK33 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装31.31247g4V @ 250μA110A Tc2013Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)-Tin (Sn)未说明未说明SingleN-Channel7.5m Ω @ 80A, 10V5595pF @ 75V95nC @ 10V-±20V110AROHS3 Compliantnot_compliant-SILICON2鸥翼R-PSSO-G21增强型MOSFETDRAIN33 nsSWITCHING46ns25 ns4V0.0075Ohm150V502 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB075N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 130A, D2PAK - More Details | 对比 |
 | IRFS4115PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK | 对比 |
| FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 对比 |
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