您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDBL86210-F085 vs FDB075N15A

FDBL86210-F085备选型号: FDB075N15A

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDBL86210-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8
    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
    36 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    850.0521mg
    500W Tj
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    1
    Single
    增强型MOSFET
    39 ns
    N-Channel
    6.3m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    5805pF @ 75V
    90nC @ 10V
    30ns
    150V
    ±20V
    23 ns
    169A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB075N15A
    ON Semiconductor
    N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 130A, D2PAK - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    28 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    7350pF @ 75V
    100nC @ 10V
    37ns
    -
    ±20V
    21 ns
    130A
    20V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    333W
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0075Ohm
    150V
    522A
    588 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDB075N15A FDB075N15A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 130A, D2PAK - More Details 对比
IRFS4115PBF IRFS4115PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK 对比
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerSFN Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R 对比