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FDC6303N备选型号: DMP2004DMK-7
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- 电压 - 额定直流
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- 终端形式
- 额定电流
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- 功率耗散
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3yes活跃1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR99450mOhmTin (Sn)逻辑电平兼容25V900mW鸥翼680mA2Dual增强型MOSFET900mW3 ns700mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING450m Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V2.3nC @ 4.5V8.5ns13 ns680mA800mV8V25V25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门800 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26-16 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66-SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6-EAR99-Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-500mW鸥翼-2Dual增强型MOSFET---2 P-Channel (Dual)SWITCHING900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V---550mA-8V-20V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-逻辑电平门-1.1mm3mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-26040620V0.55A0.9Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6301N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV | 对比 |
| FDC6321C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 | 对比 |
| FDC6320C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 | 对比 |
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