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FDC6304P备选型号: DMP2004DMK-7
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON460mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR991.1OhmTin (Sn)-25V700mW鸥翼-460mADual增强型MOSFET900mW7 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING1.1 Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA62pF @ 10V1.5nC @ 4.5V8ns25V8 ns-460mA-860mV8V-25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26-16 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66-SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-Matte Tin (Sn)-500mW鸥翼-Dual增强型MOSFET--2 P-Channel (Dual)SWITCHING900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V--20V-550mA-8V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 Compliant-2011HIGH RELIABILITY26040620.55A0.9Ohm1.1mm3mm1.6mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6321C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 | 对比 |
| DMP2004DMK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26 | 对比 |
| FDC6320C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 | 对比 |
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