FDC6306P备选型号: FDC6327C
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 端子表面处理
- 通道数量
- 极性/通道类型
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99170mOhm-20V960mW鸥翼-1.9ADual增强型MOSFET960mW6 ns700mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING170m Ω @ 1.9A, 4.5V1.5V @ 250μA441pF @ 10V4.2nC @ 4.5V9ns20V9 ns1.9A-900mV8V-20V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-900 mV1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface MountACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.7A 1.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2000-yes活跃1 (Unlimited)6EAR9980MOhm-960mW鸥翼2.7ADual增强型MOSFET960mW-700mWN and P-ChannelSWITCHING80m Ω @ 2.7A, 4.5V1.5V @ 250μA325pF @ 10V4.5nC @ 4.5V14ns--1.9A900mV8V20V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门900 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMTTIN (SN)2N-CHANNEL AND P-CHANNEL150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
| FDC6327C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |


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