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FDC6306P备选型号: FDC6392S
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- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 端子位置
- Vgs（最大值）
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99170mOhm-20V960mW鸥翼-1.9ADual增强型MOSFET960mW6 ns700mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING170m Ω @ 1.9A, 4.5V1.5V @ 250μA441pF @ 10V4.2nC @ 4.5V9ns20V9 ns1.9A-900mV8V-20V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-900 mV1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)--表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99--20V-鸥翼-2.2ASingle增强型MOSFET960mW8 ns-P-ChannelSWITCHING150m Ω @ 2.2A, 4.5V1.5V @ 250μA369pF @ 10V5.2nC @ 4.5V11ns20V11 ns2.2A-12V-20V--Schottky Diode (Isolated)-----无ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)DUAL±12V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| FDC6327C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
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