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首页 全部分类 FDC6312P vs FDC6305N

FDC6312P备选型号: FDC6305N

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  • 功率耗散
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDC6312P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    115MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    960mW
    鸥翼
    未说明
    -2.3A
    未说明
    不合格
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    8 ns
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    115m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    467pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    13 ns
    2.3A
    -900mV
    8V
    -20V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    -900 mV
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6305N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC6305N - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    80mOhm
    -
    20V
    960mW
    鸥翼
    -
    2.7A
    -
    -
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    900mW
    5 ns
    700mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    310pF @ 10V
    5nC @ 4.5V
    8.5ns
    -
    8.5 ns
    2.7A
    900mV
    8V
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
    -
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    无
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