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首页 全部分类 FDC6320C vs FDC6301N

FDC6320C备选型号: FDC6301N

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 高度
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  • ON Semiconductor
    FDC6320C
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    220mA 120mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    4Ohm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    700mW
    鸥翼
    220mA
    Dual
    增强型MOSFET
    900mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 400mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    9.5pF @ 10V
    0.4nC @ 4.5V
    6ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6 ns
    220mA
    850mV
    8V
    25V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    850 mV
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6301N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    4Ohm
    -
    逻辑电平兼容
    900mW
    鸥翼
    220mA
    Dual
    增强型MOSFET
    900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    4 Ω @ 400mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    9.5pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    4.5ns
    -
    4.5 ns
    220mA
    850mV
    8V
    25V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    850 mV
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    25V
    5 ns
    700mW
    1mm
    3mm
    1.7mm
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