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首页 全部分类 FDC634P vs SI3443DV

FDC634P备选型号: SI3443DV

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FDC634P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    3.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -3.5A
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    779pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    ±8V
    9 ns
    -3.5A
    -800mV
    8V
    -20V
    -20V
    -800 mV
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    SI3443DV
    ON Semiconductor
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    640pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    19ns
    20V
    ±8V
    19 ns
    -4A
    -700mV
    8V
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4A
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