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首页 全部分类 FDC637BNZ vs FDC602P

FDC637BNZ备选型号: FDC602P

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 双电源电压
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDC637BNZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    24MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    895pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    6ns
    ±12V
    6 ns
    6.2A
    800mV
    12V
    20V
    150°C
    800 mV
    1.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC602P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    SILICON
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    35MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1456pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    11 ns
    -5.5A
    -900mV
    12V
    -20V
    150°C
    -900 mV
    1.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    -20V
    -5.5A
    20V
    55A
    -20V
    3mm
    1.7mm
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