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首页 全部分类 FDC653N vs FDC655BN

FDC653N备选型号: FDC655BN

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDC653N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    30mg
    SILICON
    5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    35MOhm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    5A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5A, 10V
    2V @ 250μA
    350pF @ 15V
    17nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    12 ns
    5A
    1.7V
    20V
    5A
    30V
    30V
    150°C
    1.7 V
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC655BN
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    6.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    25MOhm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    6.3A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 6.3A, 10V
    3V @ 250μA
    570pF @ 15V
    15nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    6.3A
    1.9V
    20V
    -
    30V
    -
    150°C
    1.9 V
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PowerTrench®
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    未说明
    未说明
    不合格
    90 pF
  • 添加型号
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