STMicroelectronics STT6N3LLH6
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STT6N3LLH6
2381-STT6N3LLH6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
--最小包装量--
STT6N3LLH6详情
STMicroelectronics STT6N3LLH6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.6W Tc
Turn Off Delay Time
9.4 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STT6N
元素配置
Single
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
4.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
283pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.6nC @ 4.5V
上升时间
11.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
30V
高度
1.3mm
长度
3.05mm
宽度
1.75mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STT6N3LLH6拓展信息
STMicroelectronics
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