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FDC658P备选型号: DMP3065LVT-7
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 VACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9950mOhm逻辑电平兼容-30VDUAL鸥翼-4A1Single增强型MOSFET1.6W12 nsP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4A, 10V3V @ 250μA750pF @ 15V12nC @ 5V14ns30V±20V16 ns-4A-1.7V20V4A-30V150°C1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC-5 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6---4.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2000e3-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99------1Single--5.7 nsP-Channel-42m Ω @ 4.9A, 10V2.1V @ 250μA587pF @ 15V12.3nC @ 10V11.8ns30V±20V23.9 ns4.9A-20V--30V------ROHS3 Compliant-Matte Tin (Sn)26030DMP3065- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 对比 |
| FDC610PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| FDC653N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
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