FDC86244备选型号: FDC2512
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 电流
- 双电源电压
- 栅源电压
- MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼1Single增强型MOSFET1.6W4.7 nsN-ChannelSWITCHING144m Ω @ 2.3A, 10V4V @ 250μA345pF @ 75V6nC @ 10V1.4ns±20V3.1 ns2.3A2.5V20V150V150°C5 pF1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- ON SEMICONDUCTOR - FDC2512 - Power MOSFET, N Channel, 150 V, 1.4 A, 0.319 ohm, SuperSOT, Surface MountACTIVE (Last Updated: 1 day ago)15 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-SILICON1.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-DUAL鸥翼1Single增强型MOSFET1.6W6.5 nsN-ChannelSWITCHING425m Ω @ 1.4A, 10V4V @ 250μA344pF @ 75V11nC @ 10V3.5ns±20V4 ns1.4A2.6V20V150V150°C-1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT425MOhm150V1.4A150V14A150V2.6 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC2512 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC2512 - Power MOSFET, N Channel, 150 V, 1.4 A, 0.319 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 | |
| FDC3612 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
![]() | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |



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