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首页 全部分类 FDD20AN06A0 vs IPD088N06N3GBTMA1

FDD20AN06A0备选型号: IPD088N06N3GBTMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD20AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    8A Ta 45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    47mOhm
    60V
    45A
    Single
    90W
    N-Channel
    20m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 250μA
    950pF @ 25V
    19nC @ 10V
    98ns
    ±20V
    33 ns
    45A
    20V
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD088N06N3GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    71W
    N-Channel
    8.8m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 34μA
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    5 ns
    50A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    3
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    不含卤素
    3V
    TO-252AA
    60V
    0.0088Ohm
    200A
    无SVHC
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