STMicroelectronics STD35NF06LT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

17mOhm

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

35A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD35

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 17.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 4.5V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

17.5A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

2.63mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅