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首页 全部分类 FDD20AN06A0-F085 vs FDD26AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085备选型号: FDD26AN06A0-F085

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • ON Semiconductor
    FDD20AN06A0-F085
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    SILICON
    8A Ta 45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 250μA
    950pF @ 25V
    19nC @ 10V
    98ns
    ±20V
    33 ns
    45A
    TO-252AA
    20V
    8A
    0.02Ohm
    60V
    50 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD26AN06A0-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    SILICON
    7A Ta 36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 36A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 10V
    72ns
    ±20V
    35 ns
    36A
    TO-252AA
    20V
    7A
    0.026Ohm
    60V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    27 Weeks
    3
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