FDD24AN06LA0-F085备选型号: ZXMN6A08KTC

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    7.1A Ta 40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 250μA
    1850pF @ 25V
    21nC @ 5V
    118ns
    ±20V
    41 ns
    7.1A
    TO-252AA
    20V
    40A
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    5.36A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    2.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 4.8A, 10V
    3V @ 250μA
    459pF @ 40V
    5.8nC @ 10V
    2.1ns
    ±20V
    4.6 ns
    7.9A
    TO-252AA
    20V
    -
    60V
    ROHS3 Compliant
    2006
    EAR99
    260
    40
    4
    1
    0.08Ohm
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无铅
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