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首页 全部分类 FDD4141 vs FDD6690A

FDD4141备选型号: FDD6690A

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDD4141
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4141 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 10.8 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10.8A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    12.3MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    12.3m Ω @ 12.7A, 10V
    3V @ 250μA
    2775pF @ 20V
    50nC @ 10V
    7ns
    40V
    ±20V
    15 ns
    10.8A
    -1.8V
    TO-252AA
    20V
    50A
    -40V
    150°C
    -1.8 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6690A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    12A Ta 46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    12MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1230pF @ 15V
    18nC @ 5V
    7ns
    -
    ±20V
    12 ns
    46A
    1.9V
    -
    20V
    -
    30V
    -
    1.9 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    46A
    30V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD4685 FDD4685 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V 对比