FDD4685备选型号: FDD6612A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 附加功能
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 VACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON8.4A Ta 32A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9927MOhm-40V鸥翼-8.4AFDD4685R-PSSO-G2Single增强型MOSFET69WDRAIN8 nsP-Channel27m Ω @ 8.4A, 10V3V @ 250μA2380pF @ 20V27nC @ 5V15ns40V±20V14 ns8.4mA-1.6V20V40A-40V-40V-1.6 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAKACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)10 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON9.5A Ta 30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004e3yes活跃1 (Unlimited)2-EAR9920MOhm30V鸥翼30A-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET36WDRAIN9 nsN-Channel20m Ω @ 9.5A, 10V3V @ 250μA660pF @ 15V9.4nC @ 5V5ns-±20V4 ns30A2V20V9.5A30V-2 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)逻辑电平兼容SWITCHING60A90 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD8424H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
![]() | STD30NF03LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 对比 |





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