FDD4685备选型号: FDD8424H

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    8.4A Ta 32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    27MOhm
    -40V
    鸥翼
    -8.4A
    FDD4685
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    8 ns
    P-Channel
    27m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    2380pF @ 20V
    27nC @ 5V
    15ns
    40V
    ±20V
    14 ns
    8.4mA
    -1.6V
    20V
    40A
    -40V
    -40V
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    5
    260.37mg
    SILICON
    9A 6.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    24MOhm
    -
    鸥翼
    -
    FDD8424
    R-PSSO-G4
    -
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    7 ns
    N and P-Channel
    24m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    1000pF @ 20V
    20nC @ 10V
    3ns
    -
    -
    3 ns
    9A
    1.7V
    20V
    9A
    40V
    -
    -
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    3.1W
    SINGLE
    2
    1.3W
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
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STD30NF03LT4 STD30NF03LT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK 对比