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首页 全部分类 FDD5612 vs FDD5614P

FDD5612备选型号: FDD5614P

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
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  • 通道数量
  • 电压
  • 电流
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDD5612
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    5.4A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    64MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    18A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 5.4A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 30V
    11nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    18A
    2.4V
    20V
    60V
    60V
    90 mJ
    2.4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5614P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    100MOhm
    -
    -60V
    鸥翼
    -15A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 250μA
    759pF @ 30V
    24nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    12 ns
    -15A
    -1.6V
    20V
    -60V
    -60V
    90 mJ
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1
    60V
    15A
    175°C
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