FDD5614P备选型号: SPD18P06P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6334.535924gSILICON15A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2005e3yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99100MOhm-60V鸥翼-15AR-PSSO-G2160VSingle15A增强型MOSFET42WDRAIN7 nsP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 4.5A, 10V3V @ 250μA759pF @ 30V24nC @ 10V10ns±20V12 ns-15A-1.6V20V-60V-60V90 mJ175°C-1.6 V2.39mm6.73mm6.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252---表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON18.6A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1999e3-Obsolete1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99--60V鸥翼-18.6AR-PSSO-G2----增强型MOSFET80W-12 nsP-Channel-130m Ω @ 13.2A, 10V4V @ 1mA860pF @ 25V33nC @ 10V-±20V-18.6A20V20V--60V--20 V2.3mm6.5mm6.22mm无SVHC-符合RoHS标准无铅Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE260unknown未说明4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE60V74.4A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD12NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 对比 |
![]() | SPD18P06P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 | 对比 |





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