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首页 全部分类 FDD5N50FTM-WS vs FQD6N50CTM

FDD5N50FTM-WS备选型号: FQD6N50CTM

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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD5N50FTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    DPAK
    3
    260.37mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    40W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    40W
    22ns
    500V
    20 ns
    3.5A
    30V
    500V
    650pF
    1.55Ohm
    1.55 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD6N50CTM
    ON Semiconductor
    Transistor, Mosfet, N-Channel, 500V V(Br)Dss, 4.5A I(D), To-252Aa
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    4.5A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    2.5W
    35ns
    -
    45 ns
    4.5A
    30V
    500V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    QFET®
    2
    EAR99
    500V
    鸥翼
    4.5A
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    25nC @ 10V
    ±30V
    无
    无铅
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