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FDD5N50FTM-WS备选型号: STD5NK50ZT4
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- 工厂交货时间
- 底架
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- 引脚数
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- 包装
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAKACTIVE (Last Updated: 2 days ago)9 Weeks表面贴装DPAK3260.37mg1Tape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)150°C-55°C40W未说明not_compliant未说明Single40W22ns500V20 ns3.5A30V500V650pF1.55Ohm1.55 ΩROHS3 Compliant-------------------------------
MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-4.4A TcCut Tape (CT)e3-活跃1 (Unlimited)----260-30Single70W10ns-15 ns4.4A30V500V---ROHS3 CompliantTin表面贴装SILICON-55°C~150°C TJSuperMESH™2EAR991.5Ohm500V鸥翼4.4ASTD5N3R-PSSO-G2增强型MOSFET15 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 2.2A, 10V4.5V @ 50μA535pF @ 25V28nC @ 10V±30V3.75VTO-252AA2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD5NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK | 对比 |
| FDD5N50TM-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 对比 |
| FDD5N50UTM-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | 对比 |
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