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首页 全部分类 FDD5N60NZTM vs STD4NK60ZT4

FDD5N60NZTM备选型号: STD4NK60ZT4

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDD5N60NZTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Channel 600V 4A
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2Ohm
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    13nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    TO-252AA
    25V
    4A
    600V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD4NK60ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    4A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2Ohm
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    510pF @ 25V
    26nC @ 10V
    9.5ns
    ±30V
    16.5 ns
    4A
    TO-252AA
    30V
    4A
    600V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    600V
    4A
    STD4N
    3
    2.3V
    无SVHC
    无
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