FDD6680AS备选型号: FDD6635
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCHACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON55A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2004e3yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99Tin (Sn)30V鸥翼55AFDD6680R-PSSO-G2Single增强型MOSFET60mWDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING10.5m Ω @ 12.5A, 10V3V @ 1mA1200pF @ 15V29nC @ 10V6ns±20V12 ns55A1.4V20V30V30V205 mJ1.4 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET N-CH 35V 15A DPAKACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON15A Ta 59A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2007e3yes活跃1 (Unlimited)2-EAR99Tin (Sn)-鸥翼--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET55WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA1400pF @ 20V36nC @ 10V6ns±20V14 ns59A-20V35V---2.39mm6.73mm6.22mm-无ROHS3 Compliant无铅快速切换
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET - | 对比 |
![]() | FDD6635 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK | 对比 |
![]() | FDD8780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA | 对比 |




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