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首页 全部分类 FDD6680AS vs IPD090N03LGATMA1

FDD6680AS备选型号: IPD090N03LGATMA1

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  • 栅源电压
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDD6680AS
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    55A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    鸥翼
    55A
    FDD6680
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60mW
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 12.5A, 10V
    3V @ 1mA
    1200pF @ 15V
    29nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    12 ns
    55A
    1.4V
    20V
    30V
    30V
    205 mJ
    1.4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD090N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1600pF @ 15V
    15nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2.6 ns
    40A
    -
    20V
    30V
    -
    70 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    不合格
    280A
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