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首页 全部分类 FDD6690A vs FDD6612A

FDD6690A备选型号: FDD6612A

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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDD6690A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    12A Ta 46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    12MOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    46A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1230pF @ 15V
    18nC @ 5V
    7ns
    ±20V
    12 ns
    46A
    1.9V
    20V
    30V
    30V
    1.9 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    9.5A Ta 30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    20MOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    30A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    36W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9.5A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    9.4nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    4 ns
    30A
    2V
    20V
    30V
    -
    2 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    9.5A
    60A
    90 mJ
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