ON Semiconductor FDD6030L
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FDD6030L
1807-FDD6030L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
FDD6030L详情
ON Semiconductor FDD6030L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta 50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.2W Ta 56W Tc
Turn Off Delay Time
29 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.5m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1230pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 5V
上升时间
7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDD6030L拓展信息
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