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首页 全部分类 FDD6778A vs FDD8782

FDD6778A备选型号: FDD8782

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD6778A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    12A Ta 10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    3.7W
    N-Channel
    14m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    870pF @ 13V
    17nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2 ns
    12A
    20V
    25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8782
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    50W
    N-Channel
    11m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1220pF @ 13V
    25nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    14 ns
    35A
    20V
    25V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    25V
    鸥翼
    35A
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    SWITCHING
    TO-252AA
    70 mJ
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD8782 FDD8782 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比