FDD6796A备选型号: NTD4857NT4G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 已出版
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 无铅
- MOSFET NCH 25V 20A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON20A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.7WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1780pF @ 13V34nC @ 10V7ns±20V4 ns20A20V67A0.0057Ohm25V40 mJ无符合RoHS标准--------
- MOSFET N-CH 25V 12A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON12A Ta 78A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.1WDRAIN-N-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1960pF @ 12V24nC @ 4.5V18.7ns±20V3.6 ns14.6A20V78A0.008Ohm25V--符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)2007yes未说明未说明4不合格无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4857NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK | 对比 |



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