FDD6796A备选型号: NTD4857NT4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET NCH 25V 20A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.7W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1780pF @ 13V
    34nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    4 ns
    20A
    20V
    67A
    0.0057Ohm
    25V
    40 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    12A Ta 78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1960pF @ 12V
    24nC @ 4.5V
    18.7ns
    ±20V
    3.6 ns
    14.6A
    20V
    78A
    0.008Ohm
    25V
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    2007
    yes
    未说明
    未说明
    4
    不合格
    无铅
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NTD4857NT4G NTD4857NT4G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 12A DPAK 对比