您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDD7N20TM vs FQD7P20TM

FDD7N20TM备选型号: FQD7P20TM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDD7N20TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    690mOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    43W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    690m Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 250μA
    250pF @ 25V
    6.7nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    10 ns
    5A
    5V
    TO-252AA
    30V
    5A
    200V
    62.5 mJ
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD7P20TM
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    690mOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    690m Ω @ 2.85A, 10V
    5V @ 250μA
    770pF @ 25V
    25nC @ 10V
    110ns
    ±30V
    42 ns
    5.7mA
    -5V
    -
    30V
    -
    -200V
    570 mJ
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -200V
    -5.7A
    150V
    13A
    200V
    5 V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD6N20TM FDD6N20TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK 对比
FQD7P20TM FQD7P20TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK 对比